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意法半(ban)導體(ti)新推出(chu)的SLLIMM?-nano智能(neng)功(gong)率模塊(kuai)(IPM)引入新的封裝類型，并(bing)集成更多元器件，加(jia)快300W以(yi)下低功(gong)率電機(ji)驅動(dong)器研(yan)發(fa)，簡(jian)化組裝過程。

3A和5A 模塊內置當前*********的(de)600V超結MOSFET，最(zui)大(da)限度提升空(kong)氣壓(ya)縮機、風扇(shan)、泵(beng)等設備的(de)能效。各(ge)種直(zhi)列引(yin)腳或(huo)Z形引(yin)腳封裝有助于優化空(kong)間(jian)占用率，確保所(suo)需的(de)引(yin)腳間(jian)距。內部開(kai)孔選項(xiang)讓低價散(san)熱器的(de)安(an)裝更(geng)容易。此(ci)外(wai)，發(fa)射(she)極開(kai)路輸出(chu)分開(kai)設計(ji)可簡化PCB板(ban)單路或(huo)三路Shunt (分流電(dian)阻(zu))電(dian)流監視走線。

每個(ge)IPM模塊都包含由(you)六支MOSFET組(zu)成(cheng)的(de)三(san)相半橋和(he)一(yi)個(ge)高壓柵驅動芯片。新增功(gong)(gong)能有助于簡(jian)化保護(hu)電(dian)(dian)(dian)路(lu)和(he)防錯電(dian)(dian)(dian)路(lu)設計(ji)，包括(kuo)一(yi)個(ge)用于檢測電(dian)(dian)(dian)流的(de)未使用的(de)運放、用于高速錯誤保護(hu)電(dian)(dian)(dian)路(lu)的(de)比較(jiao)器和(he)用于監視(shi)溫度(du)的(de)可選的(de)NTC (負(fu)溫度(du)系數)熱敏電(dian)(dian)(dian)阻，還集成(cheng)一(yi)個(ge)自(zi)舉(ju)二(er)極管(guan)，以降低物料清單(BOM)成(cheng)本(ben)，簡(jian)化電(dian)(dian)(dian)路(lu)板布(bu)局設計(ji)。智能關(guan)斷電(dian)(dian)(dian)路(lu)可保護(hu)功(gong)(gong)率(lv)開(kai)關(guan)管(guan)，欠壓鎖(suo)保護(hu)(UVLO)預防低Vcc或Vboot電(dian)(dian)(dian)壓引起的(de)功(gong)(gong)能失(shi)效。

超結MOSFET在25°C時通態電(dian)(dian)阻只有1.0?，最(zui)大 1.6? ，低(di)(di)電(dian)(dian)容和低(di)(di)柵電(dian)(dian)荷可最(zui)大限(xian)度降低(di)(di)通態損耗和開(kai)關損耗，從而提(ti)升20kHz以下硬開(kai)關電(dian)(dian)路的(de)能(neng)效(xiao)，包括各種工業電(dian)(dian)機驅動器，準許低(di)(di)功率應用無需使用散熱器。此外，優化的(de)開(kai)關di/dt和dV/dt上升速(su)率確保EMI干(gan)擾處(chu)于一個較低(di)(di)的(de)級別，可以進一步簡化電(dian)(dian)路的(de)設(she)計布局。

新模(mo)塊的最高額定結溫是(shi)150°C，取得(de)了UL 1557認證，電絕緣級別高達1500Vrms/min。