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意法半導體新推出的SLLIMM?-nano智能功率模(mo)塊(IPM)引入(ru)新的封裝(zhuang)類(lei)型，并集(ji)成更(geng)多(duo)元器件，加(jia)快(kuai)300W以(yi)下低功率電機(ji)驅動(dong)器研發，簡化組裝(zhuang)過(guo)程。

3A和5A 模塊內置當前*********的600V超結MOSFET，最(zui)大(da)限(xian)度提升(sheng)空氣壓縮(suo)機、風扇(shan)、泵等設(she)備的能(neng)效(xiao)。各種直列(lie)引腳或(huo)Z形引腳封裝有助于優化空間占用率(lv)，確保所需(xu)的引腳間距。內部(bu)開(kai)孔(kong)選項讓(rang)低價散熱(re)器的安裝更容易。此外(wai)，發射極開(kai)路輸出分(fen)開(kai)設(she)計可簡化PCB板單路或(huo)三路Shunt (分(fen)流電阻)電流監(jian)視走線。

每個IPM模塊都包含由六支MOSFET組(zu)成的(de)三相半橋(qiao)和一(yi)個高壓(ya)柵驅動芯片。新增功能(neng)(neng)有(you)助于(yu)簡化保(bao)護電(dian)(dian)路(lu)(lu)和防錯電(dian)(dian)路(lu)(lu)設計，包括(kuo)一(yi)個用(yong)于(yu)檢測(ce)電(dian)(dian)流的(de)未使(shi)用(yong)的(de)運放、用(yong)于(yu)高速(su)錯誤保(bao)護電(dian)(dian)路(lu)(lu)的(de)比較器和用(yong)于(yu)監(jian)視溫度的(de)可(ke)選的(de)NTC (負溫度系數)熱敏(min)電(dian)(dian)阻，還集(ji)成一(yi)個自舉(ju)二極管(guan)，以降低(di)物料清(qing)單(BOM)成本(ben)，簡化電(dian)(dian)路(lu)(lu)板布局設計。智能(neng)(neng)關(guan)斷電(dian)(dian)路(lu)(lu)可(ke)保(bao)護功率開關(guan)管(guan)，欠(qian)壓(ya)鎖保(bao)護(UVLO)預防低(di)Vcc或Vboot電(dian)(dian)壓(ya)引起的(de)功能(neng)(neng)失(shi)效。

超結MOSFET在(zai)25°C時通態電(dian)(dian)阻只有1.0?，最大 1.6? ，低電(dian)(dian)容和低柵電(dian)(dian)荷(he)可最大限度降低通態損(sun)耗和開(kai)關(guan)(guan)損(sun)耗，從而提(ti)升(sheng)20kHz以(yi)下(xia)硬開(kai)關(guan)(guan)電(dian)(dian)路(lu)的能效，包(bao)括各種(zhong)工業電(dian)(dian)機驅動器，準許低功率應用無需使用散熱器。此外，優化的開(kai)關(guan)(guan)di/dt和dV/dt上(shang)升(sheng)速率確保EMI干(gan)擾處于一(yi)個較低的級別，可以(yi)進一(yi)步簡(jian)化電(dian)(dian)路(lu)的設(she)計布局。

新模塊的最高額(e)定結溫是150°C，取(qu)得了UL 1557認證，電絕緣級(ji)別高達1500Vrms/min。